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还在为寻找一颗能轻松驾驭20V以下电压、9A级电流的P沟道MOSFET而烦恼吗？STS9P2UH7正是为您量身打造的解决方案。它基于意法半导体先进的STripFET技术，核心使命就是让您的电源管理变得前所未有的高效与简洁。

这颗芯片能为您做什么？它能以极低的导通损耗（典型Rds(on)仅22.5毫欧）高效切换电流，显著减少功率浪费和发热，直接提升终端设备的能效与续航。其优化的栅极电荷（Qg）和宽泛的驱动电压范围（1.5V-4.5V），让您能够用简单的控制信号轻松实现快速、干净的开关动作，简化周边电路设计。无论是用于电池保护、负载开关还是电机控制，STS9P2UH7都能在紧凑的8-SO封装内提供稳定可靠的性能，助您打造更小巧、更强劲的产品。

• 型号:STS9P2UH7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 9A 8SO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:22.5 毫欧 @ 4.5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2390 pF @ 16 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.7W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• STS9P2UH7，ST（意法半导体）产品一站式供应商。