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还在为复杂的电源开关电路设计而头疼吗？让STS7PF30L来为您化繁为简！这颗采用先进STripFET II技术的P沟道MOSFET，是您实现高效电流控制的秘密武器。它能轻松承载高达7A的连续电流，并以低至21毫欧的导通电阻，最大限度地减少功率损耗，直接提升您的系统效率。

得益于其4.5V至10V的宽泛栅极驱动电压和快速的开关特性，STS7PF30L让您能够灵活、精准地控制负载的通断。无论是用于负载开关、电机驱动还是电源管理模块，它都能确保稳定可靠的性能。其紧凑的8-SO封装，非常适合空间受限的现代电子设备，帮助您设计出更小巧、更高效的产品。

• 型号:STS7PF30L
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 7A 8SO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:21 毫欧 @ 3.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:38 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2600 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• STS7PF30L，ST（意法半导体）产品一站式供应商。