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还在为寻找一颗高效、可靠的P沟道MOSFET而烦恼吗？STS6PF30L正是为您而来的解决方案！它基于ST意法半导体先进的STripFET技术打造，拥有30V的耐压和6A的连续电流能力，其核心魅力在于极低的导通电阻（典型值仅30毫欧@10V），能显著降低导通损耗，让您的系统运行更凉爽、能效更高。

这颗芯片能为您轻松实现高效的电源开关控制。其低至2.5V的栅极阈值电压和优化的栅极电荷，让您能够用简单的低压信号轻松驱动，大幅简化电路设计。无论是用于负载开关、电池保护还是电源路径管理，STS6PF30L都能以快速的开关响应和出色的热性能，确保您的设备稳定可靠，助您高效完成项目开发。

• 型号:STS6PF30L
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 6A 8SO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:30 毫欧 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:28 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1670 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• STS6PF30L，ST（意法半导体）产品一站式供应商。