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还在为寻找一颗高效、可靠的P沟道MOSFET而费神吗？STS6P3LLH6正是您期待的答案！这颗来自意法半导体的功率器件，采用先进的STripFET VI技术，能在紧凑的8-SO封装内，为您提供30V/6A的强劲开关能力。

它的核心魅力在于极高的效率。极低的导通电阻（低至30毫欧）和栅极电荷，能显著减少功率损耗和发热，让您的设备运行更凉爽、续航更持久。同时，其优异的开关特性让您轻松实现快速、高效的电源路径控制，无论是用于电池保护、负载切换还是电源转换，都能让系统设计更简洁，性能更出众。

• 型号:STS6P3LLH6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 6A 8SO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:30 毫欧 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1450 pF @ 24 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.7W（Ta）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• STS6P3LLH6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。