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您正在寻找一颗能兼顾高效能与高可靠性的功率开关芯片吗？STS5N15F4正是您的理想之选。这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，拥有150V耐压和5A电流处理能力，其核心价值在于采用先进的STripFET技术，实现了仅63毫欧的超低导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源或电机驱动方案运行更凉爽、能效更高。

同时，它优化的开关特性（低栅极电荷）让开关速度更快，损耗更小，轻松应对高频开关应用。采用坚固的8-SO表面贴装封装，工作温度横跨-55°C至150°C，确保在各种苛刻环境下稳定工作。选择它，就是为您的产品选择了强劲的心脏与持久的耐力。

• 型号:STS5N15F4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 150V 5A 8SO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:150 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:63 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:48 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2710 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• STS5N15F4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。