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还在为寻找一颗能同时满足高效率、大电流和出色热管理的功率开关而烦恼吗？STP90N6F6正是您的理想解决方案。这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，拥有60V的漏源电压和高达84A的连续电流能力，其核心魅力在于极低的6.8毫欧导通电阻，能显著降低开关损耗，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它采用先进的STripFET VI技术，不仅开关性能优异，栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）经过优化，有助于提升开关频率并降低驱动损耗。高达136W的功率耗散能力和175°C的结温，确保了其在重载工况下的长期可靠性。无论是用于提升现有设计的能效，还是为关键设备提供稳定的功率切换保障，STP90N6F6都能让您轻松应对挑战，实现更卓越的产品性能。

• 型号:STP90N6F6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 84A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):84A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.8 毫欧 @ 38.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:74.9 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4295 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:136W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP90N6F6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。