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还在寻找一颗能同时兼顾高性能与小体积的功率开关解决方案吗？STS5DP3LLH6正是为您量身打造的利器。它集成了两个高性能的P沟道MOSFET，采用先进的STripFET H6技术，为您带来低至56毫欧的导通电阻和极低的栅极电荷，这意味着它能显著降低开关损耗和传导损耗，让您的系统运行更凉爽、更高效。

这颗芯片支持高达30V的电压和5A的连续电流，并且是逻辑电平驱动（4.5V），让您能够轻松地用微处理器直接控制，简化电路设计。无论是用于电源路径管理、电机驱动中的预驱动，还是作为高效的负载开关，它都能让您以更少的元件和更小的板面积，实现更稳定可靠的功率控制，是提升产品能效和功率密度的理想选择。

• 型号:STS5DP3LLH6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 个 P 沟道（双）
• FET 功能:逻辑电平栅极，4.5V 驱动
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:56 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:639pF @ 25V
• 功率 - 最大值:2.7W
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
• STS5DP3LLH6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。