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您正在为高压、高效率的电源转换需求寻找一颗可靠的心脏吗？STL18N65M2正是这样一款专为挑战而生的N沟道功率MOSFET。它基于ST先进的MDmesh M2技术打造，拥有650V的漏源电压和8A的连续电流能力，让您能轻松驾驭从工业电源到新能源设备的各种高压场景。

这颗芯片的核心价值在于其卓越的性能平衡。它通过极低的导通电阻（典型值）和优化的动态参数，显著降低导通与开关损耗，直接帮助您提升系统整体能效，减少散热设计压力。其紧凑的PowerFlat HV表面贴装封装，不仅节省宝贵的电路板空间，还提供了出色的热性能，让您的设计在追求高功率密度的道路上走得更远、更稳。

• 型号:STL18N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 8A POWERFLAT HV
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:365 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:21.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:764 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:57W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）HV
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL18N65M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。