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您是否正在寻找一颗能够以极小体积驱动可观电流，同时保持冷静高效的开关芯片？STS5DNF20V正是为您而来。这颗双N沟道MOSFET阵列，集成了STripFET II技术的精华，其逻辑电平门驱动让您能够轻松地用微控制器或低压逻辑电路直接控制，极大简化了驱动电路设计。

它能在仅4.5V的驱动电压下，以低至40毫欧的导通电阻顺畅通过2.5A电流，这意味着更低的导通损耗和更少的发热，让您的系统运行更凉爽、更高效。无论是用于同步整流提升电源转换效率，还是作为紧凑空间中的负载开关，它都能让您的设计在性能和可靠性上脱颖而出，轻松应对从-55°C到150°C的严苛工作环境挑战。

• 型号:STS5DNF20V
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 20V 5A 8SOIC
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:40 毫欧 @ 2.5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:600mV @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11.5nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:460pF @ 25V
• 功率 - 最大值:2W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
• STS5DNF20V，ST（意法半导体）产品一站式供应商。