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还在为复杂的电源路径管理和空间局限而头疼吗？让STS4DPFS30L来为您分忧！这颗来自意法半导体的P沟道功率MOSFET，是您实现高效、紧凑开关控制的得力助手。它基于先进的STripFET技术打造，能以极低的导通电阻（典型值55mΩ）处理高达5A的连续电流，显著减少导通损耗，让您的设备运行更凉爽、能效更高。

它专为简化您的设计而生。仅需4.5V的驱动电压即可高效开启，轻松对接各种MCU GPIO口。其内部集成的肖特基二极管，为您省去了外部分立元件的设计和布局烦恼。无论是用于负载开关、电源切换还是电机驱动，STS4DPFS30L都能以稳定的30V耐压和可靠的性能，确保您的系统动作精准、运行持久。

• 型号:STS4DPFS30L
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 5A 8SO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:55 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1350 pF @ 25 V
• FET 功能:肖特基二极管（隔离式）
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• STS4DPFS30L，ST（意法半导体）产品一站式供应商。