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还在为复杂的驱动电路和低下的转换效率头疼吗？让STS3DNE60L双N沟道MOSFET阵列来为您简化一切！这颗芯片专为逻辑电平驱动优化，让您可以直接用微控制器的信号轻松控制，无需额外电路，极大简化了您的设计流程。

它拥有高达60V的耐压和3A的持续电流能力，导通电阻极低，能显著减少开关损耗和发热，让您的电源转换或电机驱动应用运行得更凉爽、更高效。采用紧凑的8-SOIC封装，为您节省宝贵的电路板空间，是追求小型化与高性能设计的理想选择。

• 型号:STS3DNE60L
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 60V 3A 8SOIC
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:60V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:80 毫欧 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.5nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:815pF @ 25V
• 功率 - 最大值:2W
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
• STS3DNE60L，ST（意法半导体）产品一站式供应商。