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STS2DPFS20V 零件图片(仅供参考)

STS2DPFS20V
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STS2DPFS20V 规格参数

还在为寻找一颗能高效控制电流通断的“电子开关”而费神吗?STS2DPFS20V就是您理想的答案。这颗来自ST意法半导体的P沟道MOSFET,专为20V电压等级和2.5A电流应用优化,其超低的导通电阻能极大减少开关过程中的功率损耗,让您的系统运行更凉爽、更高效。

它内置的肖特基二极管,让您在处理感性负载时更加轻松省心。无论是用于电源管理、电机驱动还是信号切换,STS2DPFS20V都能凭借其快速的开关响应和卓越的可靠性,确保您的电路稳定工作,助您轻松实现更紧凑、更节能的产品设计。

  • 型号:STS2DPFS20V
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:8-SOIC
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET P-CH 20V 2.5A 8SO
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • FET 类型:P 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):20 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.7V,4.5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):200 毫欧 @ 1A,4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):600mV @ 250A(最小)
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):4.7 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值):±12V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):315 pF @ 15 V
  • FET 功能:肖特基二极管(隔离式)
  • 功率耗散(最大值):2W(Tc)
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:8-SOIC
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154\\
  • STS2DPFS20V,ST(意法半导体)产品一站式供应商。
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STS2DPFS20V 基本参数:

  • 电子零件型号:STS2DPFS20V
  • 原始制造厂商:ST(意法半导体,STMicroelectronics)
  • 技术标准参数:MOSFET P-CH 20V 2.5A 8SO
  • 产品应用分类:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 点击此处查询STS2DPFS20V的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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