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还在寻找一款能同时兼顾高压、高效与极小封装的功率开关解决方案吗？STS2DPF80正是您的理想答案。这颗来自ST意法半导体的双P沟道MOSFET，集成了80V的耐压能力和2A的连续电流输出，其逻辑电平门控让您能用简单的低压信号轻松驾驭，显著简化驱动电路设计。

它凭借STripFET技术的优势，实现了低至250毫欧的导通电阻和极低的栅极电荷，这意味着更低的导通损耗和更快的开关速度，能直接提升您系统的能源效率与响应性能。无论是用于电源管理、电机控制还是信号切换，它都能让您的设计更紧凑、运行更凉爽、性能更可靠。

• 型号:STS2DPF80
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2P-CH 80V 2A 8SOIC
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 个 P 沟道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:80V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:250 毫欧 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:739pF @ 25V
• 功率 - 最大值:2.5W
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
• STS2DPF80，ST（意法半导体）产品一站式供应商。