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您是否正在寻找一颗能够在中压、中等电流应用中担当重任，同时兼顾高效与可靠的功率开关？STD4NS25T4正是为您而来。这颗N沟道MOSFET拥有250V的漏源电压和4A的连续电流能力，其核心价值在于通过1.1欧姆的低导通电阻和优化的栅极电荷，显著降低功率损耗，让您的电源转换或电机驱动方案运行得更凉爽、更高效。

它采用坚固的DPAK表面贴装封装，功率处理能力高达50W，结温可承受150°C的高温，确保了在复杂工况下的长期稳定性和耐用性。无论是用于提升现有设计的效率，还是为成熟可靠的方案寻找核心部件，STD4NS25T4都能让您以更少的损耗，获得更强的功率控制能力，轻松应对设计挑战。

• 型号:STD4NS25T4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 250V 4A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:250 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.1 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:27 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:355 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:50W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD4NS25T4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。