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还在为功率开关的效率瓶颈而烦恼吗？让STS26N3LLH6为您带来改变。这颗采用先进STripFET VI技术的N沟道MOSFET，核心使命就是让您的电源管理或电机驱动应用更高效、更可靠。它拥有低至4.4毫欧的导通电阻，能大幅降低功率损耗，同时支持高达26A的连续电流，让能量传输更加顺畅有力。

其优化的栅极电荷和快速的开关性能，让您能轻松设计驱动电路，实现高效的能量转换。无论是用于提升电池续航，还是强化电机控制响应，STS26N3LLH6都能让您的系统运行更冷静、性能更出众。

• 型号:STS26N3LLH6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 26A 8SO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):26A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.4 毫欧 @ 13A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4040 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.7W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• STS26N3LLH6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。