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还在为高压小电流开关电路的选择而犹豫吗？STS1HNK60正是为您量身打造的解决方案。这颗ST SuperMESH MOSFET拥有高达600V的击穿电压和300mA的电流处理能力，让您在小功率电源、LED驱动或辅助电源设计中，轻松应对高压环境，同时保持极高的可靠性。

它采用先进的MOSFET技术，在10V驱动电压下导通电阻低至8.5欧姆，配合极低的栅极电荷，能显著降低开关损耗和驱动需求，从而提升您的整体系统效率。其紧凑的8-SO表面贴装封装，非常适合空间受限的现代电子设备，帮助您实现更小巧、更高效的产品设计。

• 型号:STS1HNK60
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 300MA 8SO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):300mA（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.5 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.7V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:156 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Tc）
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• STS1HNK60，ST（意法半导体）产品一站式供应商。