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您正在寻找一颗能同时兼顾高压耐受与高效开关性能的紧凑型MOSFET吗？STS1DN45K3正是为您而来。这颗采用先进SuperMESH3技术的双N通道MOSFET，拥有450V的漏源电压和500mA的连续漏极电流，让您能在开关电源、电机驱动等高压侧应用中轻松构建高效、可靠的电路。

它的卓越之处在于，仅需10V栅极电压即可实现低至3.8欧姆的导通电阻，并结合超低的栅极电荷（6nC）和输入电容，显著降低了开关损耗和驱动需求。这意味着您不仅能获得更快的开关速度，还能让整个系统运行得更节能、更凉爽。其坚固的8-SOIC封装和高达150°C的结温工作能力，进一步确保了在紧凑空间和严苛环境下的长期稳定运行，是您提升产品性能与可靠性的高效之选。

• 型号:STS1DN45K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 450V 0.5A 8SOIC
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:450V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):500mA
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.8 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:150pF @ 25V
• 功率 - 最大值:1.3W
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
• STS1DN45K3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。