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您正在寻找一颗能大幅提升效率、节省空间且驱动简单的功率开关吗？STS14N3LLH5正是您的理想之选。这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，采用先进的STripFET V技术，拥有仅6毫欧的超低导通电阻（@10V），能显著降低开关过程中的功率损耗，让您的电源转换或电机驱动方案运行得更凉爽、更高效。

它具备30V的耐压和14A的连续电流能力，结合仅12nC的低栅极电荷，确保了快速、干净的开关动作，非常适合需要高频操作的场景。采用紧凑的8-SO表面贴装封装，能轻松集成到空间受限的设计中。无论是升级现有产品还是开发新项目，STS14N3LLH5都能让您以更小的体积和更优的能效，轻松应对挑战。

• 型号:STS14N3LLH5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±22V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1500 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.7W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• STS14N3LLH5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。