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您正在寻找一颗能扛起大电流、压降低、开关快的“能量开关”吗？STD90N03L-1正是这样一款明星级N沟道MOSFET。它基于ST意法半导体先进的STripFET III技术打造，拥有惊人的80A连续电流处理能力和低至5.7毫欧的导通电阻，能显著降低您在DC-DC转换、电机驱动或电源路径管理中的导通损耗，直接提升系统整体效率。

这颗芯片能让您轻松应对高功率密度设计的挑战。其优化的栅极特性支持快速开关，减少能量浪费；宽广的工作温度范围（-55°C至175°C）确保了在苛刻环境下的稳定运行。无论是提升产品的能效指标，还是增强系统的可靠性，STD90N03L-1都是您实现高效功率控制的理想选择。

• 型号:STD90N03L-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:IPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 80A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.7 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:32 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2805 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:95W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:IPAK
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• STD90N03L-1，ST（意法半导体）产品一站式供应商。