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还在为寻找一颗性能与成本完美平衡的功率开关而烦恼吗？STS13N3LLH5正是您期待的答案。这颗采用STripFET V技术的N沟道MOSFET，旨在让您的电源管理和电机驱动应用脱胎换骨。

它拥有低至6.6毫欧的超低导通电阻，能显著减少导通损耗，让系统运行更凉爽、能效更高。同时，优化的栅极电荷确保快速开关，进一步提升整体效率。其30V/13A的强劲规格，配合-55°C至150°C的宽温工作能力，让您能轻松应对从消费电子到工业控制的各种挑战，打造更可靠、更富竞争力的产品。

• 型号:STS13N3LLH5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.6 毫欧 @ 6.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:+22V，-20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1500 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.7W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• STS13N3LLH5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。