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还在寻找一颗能兼顾高性能与高可靠性的高压MOSFET吗？STD13N60M6正是为您而来的解决方案。它基于意法半导体先进的MDmesh M6技术，集600V耐压、10A电流承载能力于一身，却拥有仅380毫欧的超低导通电阻和13nC的极小栅极电荷。

这颗芯片能为您做什么？它能让您的电源转换系统损耗显著降低，效率轻松提升。快速的开关特性让您实现更高频率的设计，从而缩小磁性元件体积，让整体方案更紧凑。其坚固的DPAK封装和宽工作温度范围，确保您的产品在各种环境下都能高效、稳定地长期运行，是提升产品竞争力的理想选择。

• 型号:STD13N60M6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 10A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:509 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:92W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD13N60M6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。