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还在寻找一颗能兼顾高效开关与稳健控制的MOSFET吗？STS12N3LLH5正是您理想的解决方案。它基于意法半导体先进的STripFET V技术打造，为您提供高达12A的电流处理能力和低至7.5毫欧的导通电阻，能显著降低开关损耗和发热，让您的电源转换或电机驱动电路运行得更凉爽、更高效。

这颗芯片能在4.5V至10V的标准驱动电压下被轻松驾驭，快速响应您的控制指令。其宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了在各类环境下的稳定表现。无论是用于提升便携设备的电池效率，还是优化工业模块的功率密度，STS12N3LLH5都能以出色的性能，让您的设计脱颖而出，轻松应对能效挑战。

• 型号:STS12N3LLH5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 12A 8SO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.5 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:+22V，-20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1290 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.7W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• STS12N3LLH5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。