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还在寻找一颗能轻松驾驭10A电流，同时保持极低损耗的P沟道开关吗？STS10PF30L正是您的理想之选！它基于STripFET II技术，在30V/10A的规格下，其导通电阻低至惊人的14毫欧（@10V），能大幅减少导通时的功率损耗和发热，让您的系统运行更高效、更凉爽。

这颗芯片能为您做什么？它就像一个高效、敏捷的“电能守门员”。无论是用于便携设备的电源路径管理、电池反接保护，还是在电源模块中执行开关任务，它都能确保电流顺畅通过的同时，自身消耗微乎其微。其4.5V的低阈值驱动电压，让您能轻松使用常见的MCU直接驱动，简化电路设计。紧凑的8-SO封装，更为您的PCB布局节省宝贵空间，助力打造更小巧、更强大的终端产品。

• 型号:STS10PF30L
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 10A 8SO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:14 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:39 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2300 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• STS10PF30L，ST（意法半导体）产品一站式供应商。