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还在为寻找一颗既能扛大电流、又拥有超低损耗的MOSFET而烦恼吗？STS10N3LH5正是为您而来的解决方案。它基于先进的STripFET V技术，在30V/10A的规格下，实现了低至21毫欧的导通电阻和仅4.6nC的栅极电荷，这意味着它能显著降低开关损耗和导通损耗，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更凉、更高效。

这颗芯片能轻松胜任您的苛刻要求。其宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）确保了极端环境下的稳定表现，而标准8-SO表面贴装封装则让您能灵活应对紧凑的板级空间。无论是提升电池续航，还是优化系统散热，STS10N3LH5都能让您的设计脱颖而出，以更少的能量损耗，释放更大的性能潜力。

• 型号:STS10N3LH5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 10A 8SO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:21 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4.6 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±22V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:475 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• STS10N3LH5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。