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您是否希望为您的电源或电机驱动系统找到一颗既能扛住高压大电流，又能保持高效冷静的“核心开关”？STW65N65DM2AG正是您的理想之选。这颗基于先进MDmesh DM2技术的N沟道MOSFET，拥有650V的坚固耐压和60A的强大电流处理能力，其核心价值在于极低的导通损耗仅50毫欧的导通电阻，能显著减少能量浪费，让您的系统运行更高效、发热更少。

它专为严苛环境打造，符合汽车级AEC-Q101标准，确保在-55°C到150°C的宽广温度范围内稳定可靠。优化的开关特性（低栅极电荷Qg）让您轻松实现快速、干净的开关控制，有效简化驱动电路并降低电磁干扰。无论是提升服务器电源的能效，还是增强电动汽车充电器的可靠性，STW65N65DM2AG都能让您的设计脱颖而出，以卓越性能赢得市场先机。

• 型号:STW65N65DM2AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 60A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:50 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:120 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5500 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:446W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW65N65DM2AG，ST（意法半导体）产品一站式供应商。