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STPSC8H065G2Y-TR 零件图片(仅供参考)

STPSC8H065G2Y-TR
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STPSC8H065G2Y-TR 规格参数

还在为电源效率瓶颈而烦恼吗?让STPSC8H065G2Y-TR为您带来颠覆性的改变!这颗车规级碳化硅肖特基二极管,凭借其650V耐压和8A载流能力,能轻松应对电动汽车充电、服务器电源等高压高效场景,直接提升您的系统整体能效。

它的核心魔力在于“零反向恢复时间”(0ns),彻底消除了传统二极管在开关过程中的能量拖尾损耗。这意味着更低的开关损耗、更少的发热,以及更简洁的散热设计,让您的产品运行更凉爽、更可靠。同时,其卓越的AEC-Q101车规品质和ECOPACK2环保封装,为您提供了从工业到汽车应用的全面信心保障,助您高效打造更具市场竞争力的尖端产品。

  • 型号:STPSC8H065G2Y-TR
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:D2PAK HV
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
  • 描述:DIODE SIL CARB 650V 8A D2PAK HV
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 技术:SiC(Silicon Carbide)Schottky
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):650 V
  • 电流 - 平均整流 (Io):8A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.65 V @ 8 A
  • 速度:零恢复时间 \> 500mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr):0 ns
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:80 A @ 650 V
  • 不同Vr、F 时电容:414pF @ 0V,1MHz
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q101
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
  • 供应商器件封装:D2PAK HV
  • 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C
  • STPSC8H065G2Y-TR,ST(意法半导体)产品一站式供应商。
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STPSC8H065G2Y-TR 基本参数:

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