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还在为功率转换系统的效率瓶颈和散热难题而烦恼吗？让STGW10M65DF2来为您破局！这颗650V/20A的沟槽场截止IGBT，凭借其超低的Vce(sat)和开关损耗，能显著提升您的电机驱动、太阳能逆变器或UPS设备的整体能效，让您的产品在市场上更具绿色竞争力。

它不仅能轻松处理高达40A的脉冲电流，其宽广的-55°C至175°C工作结温范围，更能确保您的设备在极端环境下稳定运行，可靠性大幅提升。优化的动态参数和快速的开关特性，让您能够设计出更紧凑、更高效的电源拓扑，简化散热设计，从而加快产品上市速度。

• 型号:STGW10M65DF2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 650V 20A TO-247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:20 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A
• 功率 - 最大值:115 W
• 开关能量:120J（导通），270J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:28 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/91ns
• 测试条件:400V，10A，22 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):96 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-3
• 供应商器件封装:TO-247-3
• STGW10M65DF2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。