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还在为电源系统的效率瓶颈和散热难题寻找突破口吗？STPSC8H065DI碳化硅肖特基二极管，正是意法半导体为您带来的高效解决方案。它凭借碳化硅材料的卓越特性，实现了近乎零的反向恢复损耗，让您在高频开关应用中彻底摆脱传统硅二极管的速度束缚，轻松达成更高的系统效率和功率密度。

这颗芯片能为您做什么？它集650V高耐压与8A大电流于一身，却保持着仅1.75V@8A的低正向压降，显著降低了导通损耗。这意味着您的电源模块或电机驱动装置运行更凉爽、更可靠，同时整体能效得到大幅提升。无论是用于工业电源、太阳能逆变器还是电动汽车充电桩，它都能让您的设计更高效、更紧凑，助力您的产品在市场竞争中脱颖而出。

• 型号:STPSC8H065DI
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220AC ins
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
• 描述:DIODE SIC 650V 8A TO220AC INS
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• 技术:SiC（Silicon Carbide）Schottky
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:650 V
• 电流 - 平均整流 (Io):8A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.75 V @ 8 A
• 速度:快速恢复 =\< 500ns，\> 200mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):-
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:80 A @ 650 V
• 不同Vr、F 时电容:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-220-2 绝缘，TO-220AC
• 供应商器件封装:TO-220AC ins
• 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C
• STPSC8H065DI，ST（意法半导体）产品一站式供应商。