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您是否希望为您的电源或电机控制项目找到一颗动力澎湃且高效节能的“核心开关”？STL20NF06LAG正是您的理想之选。这颗N沟道MOSFET拥有60V耐压和20A的强大电流处理能力，其核心价值在于极低的导通损耗在10V驱动下导通电阻仅40毫欧，能显著减少发热，让您的系统运行更凉爽、更持久。

它采用先进的STripFET II技术，开关响应迅速，栅极电荷低，让您轻松实现高效率的DC-DC转换或电机驱动。其汽车级（AEC-Q101）品质和宽达-55°C至175°C的工作温度范围，确保了在严苛环境下的卓越可靠性。紧凑的PowerFlat封装更节省空间，优化散热，是您提升产品功率密度和整体性能的得力助手。

• 型号:STL20NF06LAG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 20A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:40 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:670 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:4.8W（Ta），75W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL20NF06LAG，ST（意法半导体）产品一站式供应商。