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STPSC8H065B-TR 零件图片(仅供参考)

STPSC8H065B-TR
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STPSC8H065B-TR 规格参数

还在为提升电源效率的最后一个百分点而绞尽脑汁吗?STPSC8H065B-TR就是您破局的关键。这颗650V/8A的碳化硅肖特基二极管,凭借其革命性的零反向恢复特性,能为您彻底扫清高频开关应用中的损耗障碍。

它能让您的设计轻松运行在更高频率,从而缩小变压器和电感体积,实现更高的功率密度。其低至1.75V的正向压降和高达650V的耐压,确保了从导通到关断全过程的高效与坚固。无论是服务器电源、光伏逆变器还是车载充电机,选择它,就是选择了更高效、更紧凑、更可靠的解决方案。

  • 型号:STPSC8H065B-TR
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:DPAK
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
  • 描述:DIODE SIL CARBIDE 650V 8A DPAK
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 技术:SiC(Silicon Carbide)Schottky
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):650 V
  • 电流 - 平均整流 (Io):8A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.75 V @ 8 A
  • 速度:零恢复时间 \> 500mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr):0 ns
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:80 A @ 650 V
  • 不同Vr、F 时电容:414pF @ 0V,1MHz
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
  • 供应商器件封装:DPAK
  • 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C
  • STPSC8H065B-TR,ST(意法半导体)产品一站式供应商。
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STPSC8H065B-TR 基本参数:

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