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还在寻找一颗能扛起高压重任、同时保持高效开关性能的功率开关管吗？STB9NK70ZT4正是为您而来。这颗基于意法半导体先进SuperMESH技术的N沟道MOSFET，拥有高达700V的击穿电压和7.5A的连续电流能力，让您在设计AC-DC电源、电机驱动或照明镇流器时，面对高压输入也能游刃有余，信心倍增。

它的核心价值在于卓越的能效表现。极低的导通电阻（Rds(on)）和优化的栅极电荷（Qg）特性，共同作用，显著降低了开关损耗和导通损耗。这意味着您的系统不仅能轻松处理高功率，更能实现更高的整体能效，减少热量产生，从而提升产品可靠性并可能简化散热设计。选择它，就是为您的电源方案选择了一个高效、可靠的能量控制核心。

• 型号:STB9NK70ZT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 700V 7.5A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:700 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.2 欧姆 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:68 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1370 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:115W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB9NK70ZT4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。