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您是否渴望彻底告别传统二极管开关损耗大、发热严重的时代？STPSC4H065B-TR碳化硅肖特基整流器就是为您而来的答案。它凭借650V的高耐压和4A的强电流能力，让您的电源、逆变或电机驱动设计轻松应对高压环境，同时其近乎为零的反向恢复时间，能极大提升系统开关频率和整体效率，减少散热负担。

这颗芯片的核心使命，就是让您的产品运行得更冷静、更高效、更可靠。它采用先进的碳化硅技术，正向压降低至1.75V@4A，意味着在导通时能量损耗更小。其表面贴装的DPAK封装，让您能够轻松实现自动化焊接，优化生产流程。选择STPSC4H065B-TR，就是为您的下一个项目选择了一份卓越的性能保障与未来竞争力。

• 型号:STPSC4H065B-TR
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
• 描述:DIODE SIL CARBIDE 650V 4A DPAK
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:SiC（Silicon Carbide）Schottky
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:650 V
• 电流 - 平均整流 (Io):4A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.75 V @ 4 A
• 速度:零恢复时间 \> 500mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):0 ns
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:40 A @ 650 V
• 不同Vr、F 时电容:200pF @ 0V，1MHz
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 供应商器件封装:DPAK
• 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C
• STPSC4H065B-TR，ST（意法半导体）产品一站式供应商。