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还在寻找能提升系统效率的关键元件吗？STPSC406B-TR碳化硅肖特基二极管正是您期待的答案。它拥有600V的高耐压和4A的强电流处理能力，核心优势在于其“零反向恢复时间”特性，能彻底消除传统二极管在高速开关时的拖尾损耗，让您的电源或逆变器设计轻松实现更高的开关频率和惊人的能效提升。

这颗芯片能为您做什么？它让您的高效设计梦想照进现实。其低至1.9V的正向压降进一步减少了导通损耗，而DPAK封装则确保了紧凑的布局和可靠的散热。无论是追求功率密度的服务器电源，还是注重可靠性的工业驱动，STPSC406B-TR都能以卓越的性能和稳定性，助您打造出更具市场竞争力的产品。

• 型号:STPSC406B-TR
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
• 描述:DIODE SIL CARBIDE 600V 4A DPAK
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:SiC（Silicon Carbide）Schottky
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:600 V
• 电流 - 平均整流 (Io):4A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.9 V @ 4 A
• 速度:零恢复时间 \> 500mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):0 ns
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 A @ 600 V
• 不同Vr、F 时电容:200pF @ 0V，1MHz
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 供应商器件封装:DPAK
• 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C
• STPSC406B-TR，ST（意法半导体）产品一站式供应商。