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还在为电源转换效率难以突破而烦恼吗？STPSC10065D碳化硅肖特基整流二极管，正是为您破解这一难题而生的利器。它采用先进的碳化硅技术，拥有高达650V的耐压和10A的载流能力，最关键的是，它实现了革命性的“零反向恢复时间”，能彻底消除开关损耗中的大头，让您的系统效率轻松跃升一个新台阶。

这颗芯片能为您做什么？它能让您的电源设计运行得更冷静、更高效、更紧凑。其极低的正向压降（仅1.45V@10A）和近乎为零的反向恢复电荷，显著降低了导通和开关损耗。这意味着，您不仅可以获得更高的能源转换效率，还能减少散热需求，简化热管理设计，最终打造出功率密度更高、体积更小巧、可靠性更强的终端产品。

• 型号:STPSC10065D
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220AC
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
• 描述:DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 技术:SiC（Silicon Carbide）Schottky
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:650 V
• 电流 - 平均整流 (Io):10A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.45 V @ 10 A
• 速度:零恢复时间 \> 500mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):0 ns
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:130 A @ 650 V
• 不同Vr、F 时电容:670pF @ 0V，1MHz
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-220-2
• 供应商器件封装:TO-220AC
• 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C
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