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您正在寻找一颗能显著提升系统效率与可靠性的高压开关管吗？STB18NM60ND正是您的理想之选。这颗基于先进FDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有600V耐压和13A电流能力，其核心价值在于极低的290毫欧导通电阻和优化的开关特性，能大幅降低导通与开关损耗，让您的电源或电机驱动方案运行得更凉爽、更高效。

它采用坚固的D2PAK封装，散热性能出众，支持高达110W的功率耗散，结温可达150°C，确保了在恶劣环境下的长期稳定运行。无论是用于工业变频器、开关电源(SMPS)还是PFC电路，STB18NM60ND都能以卓越的性能，助您轻松构建更紧凑、更可靠且能效比更高的终端产品。

• 型号:STB18NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:290 毫欧 @ 6.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1030 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB18NM60ND，ST（意法半导体）产品一站式供应商。