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还在为高压开关电路的设计而头疼吗？让STPLED524来为您轻松化解难题！这颗N沟道MOSFET就像一个高效、可靠的电力开关，它能帮助您在高达525V的电压下，精准控制高达4A的电流通断。

得益于其优异的性能参数，如低至2.6欧姆的导通电阻和快速的开关特性，它能显著降低系统的功率损耗和发热，让您的电源设计更高效、更凉爽。无论是用于LED驱动、电源适配器还是电机控制，它都能让您的产品运行更稳定，寿命更长久。

选择它，就是为您的核心电路选择了一位值得信赖的“能量守门员”，助您轻松打造出更具市场竞争力的高性能产品。

• 制造商产品型号：STPLED524
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 525V 4A TO220
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：525V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：4A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2.6 欧姆 @ 2.2A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 50A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：12nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：340pF @ 100V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：45W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-220
• STPLED524，ST（意法半导体）产品一站式供应商。