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还在寻找一颗能扛起中功率转换重任的可靠“开关”吗？STP9NM60N正是为您而来！这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，拥有高达600V的击穿电压和6.5A的连续电流处理能力，专为要求苛刻的开关应用而优化。

它内置先进的MDmesh II技术，能显著降低导通电阻和栅极电荷，这意味着更低的传导损耗和开关损耗，直接让您的电源或电机驱动方案运行得更高效、更凉爽。其坚固的TO-220AB封装和高达150°C的结温，确保了在恶劣环境下的长期稳定工作，让您轻松应对各种可靠性挑战。

• 型号:STP9NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 6.5A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:745 毫欧 @ 3.25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:452 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP9NM60N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。