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您是否正在寻找一颗能同时兼顾高压、大电流与高效率的“全能型”功率开关？STB28N60M2正是为此而生。它基于ST先进的MDmesh II Plus技术打造，拥有600V的坚固耐压和22A的强大电流吞吐能力，让您在设计服务器电源、工业驱动或UPS系统时信心倍增。

这颗芯片的核心价值在于其极低的导通损耗与出色的开关性能。仅150毫欧的超低导通电阻，意味着能量在传输过程中的浪费被降至最低，直接提升系统整体能效。同时，优化的栅极电荷特性让开关动作更加迅速、干净，显著降低开关损耗与发热，让您的设备运行更凉爽、更可靠。

采用坚固的D2PAK表面贴装封装，它不仅提供了优异的功率耗散能力（高达170W），还简化了您的PCB布局与生产流程。选择STB28N60M2，就是选择了一个能轻松应对严苛工作环境、助力您打造高效紧凑功率解决方案的强力伙伴。

• 型号:STB28N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 22A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:150 毫欧 @ 11A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:36 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1440 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:170W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB28N60M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。