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还在为电源转换效率难以突破而烦恼吗？STP9NM40N N沟道功率MOSFET正是您提升系统能效的利器。它基于ST先进的MDmesh II技术，拥有400V的漏源电压和5.6A的连续电流能力，让您在设计开关电源、电机驱动等应用时，能够轻松应对中功率需求，同时享受更低的导通损耗和开关损耗。

这颗芯片能为您做什么？它通过仅790毫欧的低导通电阻（10V驱动下）和优化的栅极电荷，显著减少功率耗散，让您的设备运行更凉爽、更高效。其坚固的TO-220封装确保了出色的散热性能和机械可靠性，即使在高达150°C的结温下也能稳定工作。选择它，就是为您的产品选择了一份经过验证的高性能与长寿命保障。

• 型号:STP9NM40N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 400V 5.6A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:400 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:790 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:365 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP9NM40N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。