我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） L6384D013TR现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您正在寻找一颗能稳健驱动半桥拓扑，并轻松应对高压环境的栅极驱动器吗？L6384D013TR正是为您而来。这颗芯片能高效驾驭IGBT和N沟道MOSFET，其高达600V的自举电压和强劲的峰值输出电流（拉出650mA，灌入400mA），让您的功率开关动作既迅速又可靠，显著提升系统效率。

它采用反相输入逻辑，兼容常见的控制信号，并具备出色的抗干扰能力。从-45°C到125°C的宽广工作结温范围，确保它在各种苛刻环境下稳定运行。采用表面贴装的8-SOIC封装，便于您集成到紧凑的电路板设计中，让高压侧驱动变得前所未有的轻松和高效。

• 型号:L6384D013TR
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:同步
• 驱动器数:2
• 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:14.6V ~ 16.6V
• 逻辑电压- VIL，VIH:1.5V，3.6V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:400mA，650mA
• 输入类型:反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
• 上升/下降时间（典型值）:50ns，30ns
• 工作温度:-45°C ~ 125°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
• L6384D013TR，ST（意法半导体）产品一站式供应商。