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还在寻找一颗能扛起高压、大电流重任，同时保持冷静高效的功率开关吗？STP9NK80Z正是为您而来的解决方案。它基于意法半导体先进的SuperMESH技术，拥有800V的坚固耐压和7.5A的强大电流通过能力，核心优势在于其极低的导通电阻（仅1.2欧姆），能显著减少开关过程中的功率损耗，直接为您带来更高的系统效率和更低的温升。

这颗芯片能轻松胜任开关电源、电机驱动、PFC电路等核心功率开关角色。其优化的栅极电荷和输入电容特性，确保了快速、干净的开关动作，让您的设计不仅高效，而且响应敏捷。经典的TO-220AB封装提供了出色的散热路径，结合宽广的工作温度范围（-55°C至150°C），让您的设备即使在严苛环境下也能稳定运行，可靠性倍增。

• 型号:STP9NK80Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 7.5A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.2 欧姆 @ 3.75A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:84 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1900 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP9NK80Z，ST（意法半导体）产品一站式供应商。