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您正在寻找一颗能扛起大电流、实现高效功率切换的核心器件吗？STH160N4LF6-2正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有120A的强劲电流处理能力和低至2.2毫欧的导通电阻，能显著降低开关过程中的功率损耗，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更凉快、更高效。

它基于ST先进的DeepGATE技术打造，确保在10V驱动电压下即可获得优异的导通性能。高达150W的功率耗散能力和宽广的工作温度范围，让您轻松应对高负荷与严苛环境挑战。选择它，就是为您的设计注入一颗强劲而可靠的“心脏”，轻松实现性能飞跃。

• 型号:STH160N4LF6-2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-2
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.2 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:181 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:8130 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-2
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STH160N4LF6-2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。