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还在为高压应用的效率瓶颈和散热难题烦恼吗？让STP9NK65Z来为您破局！这颗来自意法半导体的N沟道功率MOSFET，集成了先进的SuperMESH技术，为您提供高达650V的漏源电压和仅1.2欧姆的低导通电阻。这意味着它能帮助您轻松构建高效、可靠的电源开关路径，显著降低导通损耗，让系统运行更凉爽，能效比更高。

它能在-55°C至150°C的宽温范围内稳定工作，并凭借TO-220AB封装实现出色的功率耗散（最高125W）。无论是用于开关电源、电机控制还是照明驱动，STP9NK65Z都能让您的设计更简洁，性能更强劲，助您快速将高效可靠的产品推向市场。

• 型号:STP9NK65Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 6.4A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.2 欧姆 @ 3.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:41 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1145 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP9NK65Z，ST（意法半导体）产品一站式供应商。