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您是否正在寻找一颗能扛起高压、通大电流，同时还能保持冷静高效的功率开关？STP9NK60ZFP正是为您而来的解决方案。这颗采用先进SuperMESH技术的N沟道MOSFET，拥有600V的漏源电压和7A的连续电流能力，其核心魅力在于仅950毫欧的超低导通电阻，能显著减少导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉快、更节能。

它不仅仅参数强悍，更注重实际应用体验。低至53nC的栅极电荷确保了极快的开关速度，帮助您轻松优化开关损耗并降低电磁干扰。无论是用于构建高效的开关电源、驱动变频家电中的电机，还是作为LED驱动的核心开关，STP9NK60ZFP都能让您的设计性能脱颖而出，可靠性经久耐用。

• 型号:STP9NK60ZFP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 7A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:950 毫欧 @ 3.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:53 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1110 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STP9NK60ZFP，ST（意法半导体）产品一站式供应商。