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您正在寻找一颗能同时兼顾高压耐受、高效运行与出色可靠性的功率开关管吗？STP9N60M2正是为您而来。这颗采用MDmesh II Plus技术的N沟道MOSFET，拥有600V的漏源电压和5.5A的连续电流能力，其核心价值在于极低的780毫欧导通电阻和优化的动态特性，能显著降低您在开关电源、电机控制等应用中的功率损耗，让您的系统运行更凉爽、效率更高。

它让您轻松应对严苛的工作环境，高达150°C的结温工作范围和60W的功率耗散能力，提供了充足的可靠性余量。无论是简化驱动设计，还是提升整体能效，STP9N60M2都能成为您设计中高效且值得信赖的功率核心。

• 型号:STP9N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 5.5A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:780 毫欧 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:320 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP9N60M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。