我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STB30NM60N现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为高压电源设计的效率瓶颈和散热难题寻找突破口吗？让STB30NM60N为您提供强大助力。这颗600V/25A的N沟道功率MOSFET，采用ST先进的MDmesh II技术，其核心价值在于让您以更低的损耗实现高效功率切换。

它通过极低的导通电阻（典型值130毫欧）大幅减少导通状态下的能量浪费，同时优化的动态参数帮助您降低开关损耗，从而让整个电源系统运行得更凉爽、更高效。其坚固的D2PAK封装和高达190W的耗散能力，确保了在严苛环境下的长期可靠性，是您构建工业电机驱动、UPS和高端电源的可靠基石。

• 型号:STB30NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:130 毫欧 @ 12.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:91 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2700 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB30NM60N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。