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还在寻找一颗能扛起高压大电流重任，同时保持冷静高效的功率开关吗？STP8NS25正是您的理想答案！这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，拥有250V的耐压和8A的连续电流能力，其核心优势在于极低的导通电阻（最大仅450毫欧），能显著减少导通时的功率损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它采用成熟的MESH OVERLAY技术，开关响应迅速（栅极电荷低），驱动简单（10V即可实现最优导通）。无论是用于提升开关电源的能效，还是强化电机控制的可靠性，STP8NS25都能让您轻松应对。高达80W的散热能力和宽工作温度范围，更确保了它在各种挑战性环境下的持久稳定表现，是您打造耐用、高性能电力电子设备的得力伙伴。

• 型号:STP8NS25
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 250V 8A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:250 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:450 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:51.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:770 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:80W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP8NS25，ST（意法半导体）产品一站式供应商。