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您正在寻找一颗能扛起高压、大电流重任，同时保持高效与可靠的功率开关吗？STP8NM60N正是为您而来！这颗N沟道MOSFET拥有600V的坚固耐压和7A的强大电流处理能力，核心采用ST先进的MDmesh II技术，能显著降低导通损耗，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它能让您轻松驾驭复杂的功率管理。其优化的动态参数，如较低的栅极电荷，确保了快速干净的开关动作，有助于提升系统频率响应并减少噪声干扰。无论是工业电源、照明设备还是家用电器中的功率级设计，STP8NM60N都能提供稳定可靠的性能基石，助您构建出更节能、更耐用的产品。

• 型号:STP8NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 7A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:650 毫欧 @ 3.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:560 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP8NM60N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。