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还在寻找一颗能扛起数据存储重任的“心脏”吗？让NAND01GW4B2AN6E来为您解决！这颗由意法半导体出品的1Gb并行NAND闪存芯片，专为需要可靠、大容量非易失存储的应用而设计。它能让您的设备轻松容纳海量程序代码、用户数据或日志文件，30ns的快速读写性能更确保了系统运行的高效与流畅。

无论是工业控制、汽车电子还是网络通信设备，其宽电压（2.7V-3.6V）和宽温（-40°C至85°C）特性都提供了极高的设计灵活性和环境适应性。采用48-TSOP封装，便于表面贴装，帮助您优化PCB空间。选择它，就是为您的产品选择了一颗经过验证、稳定可靠的存储核心。

• 型号:NAND01GW4B2AN6E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:48-TSOP
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:64M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:30ns
• 访问时间:30 ns
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
• 供应商器件封装:48-TSOP
• NAND01GW4B2AN6E，ST（意法半导体）产品一站式供应商。