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您正在寻找一颗能扛起高压、大电流开关重任，同时保持高效冷静的“核心引擎”吗？STP8NM60正是为此而生！这颗采用先进MDmesh技术的N沟道MOSFET，拥有650V的坚固耐压和8A的强大电流吞吐能力，让您在构建开关电源、电机驱动等系统时，底气十足。

它的魅力在于极致优化。仅1欧姆的典型导通电阻和低至18nC的栅极电荷，意味着更少的能量以热量形式浪费，让您的系统运行更高效、更凉爽。TO-220AB封装提供了优秀的散热路径，轻松应对高达100W的功率耗散。无论是应对频繁开关，还是持续导通，它都能让您的设计稳定可靠，性能持久在线。

• 型号:STP8NM60
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 8A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1 欧姆 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:400 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP8NM60，ST（意法半导体）产品一站式供应商。